В Новосибирске ученые из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН заявили о создании самой быстрой флешки в мире. Согласно результатам исследований, новая флеш-карта по быстродействию и времени хранения данных может превосходить аналоги, сообщает «Наука в Сибири». При создании новой флешки используется материал мультиграфен, слой которого «зажимается» между двумя другими слоями: туннельного и блокирующего. Первый изготавливается из оксида кремния, второй — из диэлектрика. Другие флеш-накопители сконструированы подобным образом, но вместо слоя из мультиграфена в них использован кремний. Мультиграфеновый же …
читать далееНа протяжении двух недель Красноярск жил ритмом гор, троп и стихов
Цифровые инструменты стали частью повседневной работы медицинских организаций края
Исследование DMTel подтвердило лидерство оператора в Красноярске